| MQS1型一氧化碳气敏元件 | |
| 万吉高; 黎鼎鑫; 黎淑萍; 谢波 | |
| 1998-10-05 | |
| 发表期刊 | 电子元件与材料
 |
| ISSN | 1001-2028 |
| 期号 | 05页码:23-25 |
| 摘要 | 氧空位与材料的气敏特性有着密切的关系，气敏材料的电导率由氧空位的形成和氧化过程共同决定，氧空位浓度越大，气敏效应越明显。根据氧化锡的这一气敏机理，以９９．９９％的锡为原料，掺入合适的添加剂，制成了ＭＱＳ１型一氧化碳气敏元件。它的灵敏度高、选择性好、响应恢复快、受温度和湿度的影响小。 |
| 关键词 | 一氧化碳 气敏元件 氧空位 氧化锡 添加剂 |
| URL | 查看原文 |
| 收录类别 | 北大核心 |
| 语种 | 中文 |
| 资助项目 | 云南省“八五”重点攻关课题 |
| 原始文献类型 | 学术期刊 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/131808 |
| 专题 | 国家开放大学云南分部 |
| 作者单位 | 昆明贵金属研究所;云南广播电视大学 |
| 第一作者单位 | 国家开放大学云南分部 |
| 第一作者的第一单位 | 国家开放大学云南分部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万吉高,黎鼎鑫,黎淑萍,等. MQS1型一氧化碳气敏元件[J]. 电子元件与材料,1998(05):23-25. |
| APA | 万吉高,黎鼎鑫,黎淑萍,&谢波.(1998).MQS1型一氧化碳气敏元件.电子元件与材料(05),23-25. |
| MLA | 万吉高,et al."MQS1型一氧化碳气敏元件".电子元件与材料 .05(1998):23-25. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [万吉高]的文章 |
| [黎鼎鑫]的文章 |
| [黎淑萍]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [万吉高]的文章 |
| [黎鼎鑫]的文章 |
| [黎淑萍]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [万吉高]的文章 |
| [黎鼎鑫]的文章 |
| [黎淑萍]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论