单畴磁膜磁阻效应的计算 | |
刘英; 任世伟; 张忠武 | |
1995-12-30 | |
发表期刊 | 河北轻化工学院学报
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ISSN | 10046771 |
期号 | 04页码:1-7+26 |
摘要 | 对磁记录中使用的磁阻传感器的磁阻效应进行了定量分析,并提出了一种新的单畴磁膜退磁场的近似计算方法──平行线近似。计算结果表明,该近似比椭圆近似更好地反映了外磁场作用下单畴膜的磁荷分布。 |
关键词 | 磁阻传感器 磁膜 平行线近似 |
URL | 查看原文 |
语种 | 中文 |
资助项目 | 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室资助 |
原始文献类型 | 学术期刊 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/133937 |
专题 | 国家开放大学 |
作者单位 | 1.河北轻化工学院基础课部; 2.石家庄市广播电视大学; 3.河北师范大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘英,任世伟,张忠武. 单畴磁膜磁阻效应的计算[J]. 河北轻化工学院学报,1995(04):1-7+26. |
APA | 刘英,任世伟,&张忠武.(1995).单畴磁膜磁阻效应的计算.河北轻化工学院学报(04),1-7+26. |
MLA | 刘英,et al."单畴磁膜磁阻效应的计算".河北轻化工学院学报 .04(1995):1-7+26. |
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