一种嵌入SCR结构的分布式ESD器件
孙康明
2022-10-14
原始专利权人重庆广播电视大学重庆工商职业学院
授权国家中国
摘要本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域,具体涉及一种嵌入SCR结构的分布式ESD器件,包括衬底,所述衬底包括深N阱区和所述深N阱区上设置的级联二极管单元,所述级联二极管单元包括相邻设置的第三N阱区和P阱区,所述第三N阱区内设有第三P+注入区,所述第三P+注入区内隔离设置有第三N+注入区;所述P阱区内设有第四N+注入区,所述第四N+注入区内隔离设置有第四P+注入区;所述第三P+注入区与阳极相连,所述第三N+注入区与第四P+注入区相连,所述第四N+注入区与阴极相连。本发明解决了现有的具有级联二极管结构的ESD器件对电流处理能力低的问题。
申请日期2020-11-26
语种中文
专利状态授权
申请号CN202011348372.5
公开(公告)号CN112420691B
IPC 分类号H01L27/02
专利代理人蒙捷
代理机构重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙)
CPC分类号H01L27/0262 ; H01L27/0255
专利类型授权发明
授权日期2022-10-14
文献类型专利
条目标识符http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/164753
专题国家开放大学重庆分部
作者单位重庆广播电视大学重庆工商职业学院
第一作者单位国家开放大学重庆分部
推荐引用方式
GB/T 7714
孙康明. 一种嵌入SCR结构的分布式ESD器件[P]. 2022-10-14.
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