| 一种pnp触发的ggnmos结构 |
| 孙康明
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| 2021-01-29
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| 原始专利权人 | 重庆广播电视大学重庆工商职业学院
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| 授权国家 | 中国
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| 摘要 | 本发明涉及集成电路的静电保护技术领域，具体涉及一种pnp触发的ggnmos结构,包括基于动态衬底与衬底触发技术的GGNMOS结构，所述GGNMOS结构为多叉指并联版图结构，所述多叉指并联版图结构中位于中间位置的两个叉指为中央叉指，两个中央叉指的漏极连接在一起，两个中央叉指的漏极中间设置有第一N阱区，所述第一N阱区中依次隔离设置有第二N+注入区、P+注入区和第三N+注入区，所述P+注入区连接IO PAD，所述第二N+注入区和第三N+注入区与连接电源端VDD。本发明解决了传统的GGNMOS由于其固有的触发机制和叉指结构，导致其存在较高的触发电压和非均匀导通的问题。 |
| 申请日期 | 2020-11-06
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 驳回
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| 申请号 | CN202011232123.X
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| 公开（公告）号 | CN112289789A
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| IPC 分类号 | H01L27/02
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| 专利代理人 | 蒙捷
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| 代理机构 | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙)
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| CPC分类号 | H01L27/0292
; H01L27/0274
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| 专利类型 | 发明申请
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/164768
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| 专题 | 国家开放大学重庆分部
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| 作者单位 | 重庆广播电视大学重庆工商职业学院
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| 第一作者单位 | 国家开放大学重庆分部
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孙康明. 一种pnp触发的ggnmos结构[P]. 2021-01-29.
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文件名：
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CN202011232123.X.PDF
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格式：
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Adobe PDF
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