| 一种单向性耐高温焊接接头的低温快速制造方法 | |
| 张志昊; 朱轶辰; 操慧珺 | |
| 2021-07-20 | |
| 原始专利权人 | 厦门大学 ; 厦门大学深圳研究院 ; 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学) |
| 授权国家 | 中国 |
| 摘要 | 本发明提出了一种单向性耐高温焊接接头的低温快速制造方法，通过双面直流电解沉积工艺，可以获得具有高密度单向性的双面纳米孪晶铜箔，且铜箔表面取向为(111)晶面；将(111)纳米孪晶铜箔在还原性气氛且300‑500℃下低温时效，在0.5‑4h内快速形成双面单晶铜箔，且单晶铜箔表面取向为(111)晶面；将单晶铜箔、锡箔堆叠后与覆铜碳化硅芯片焊接，利用平板热压与温度梯度回流工艺，在5‑10分钟内快速形成单向性Cu6Sn5金属间化合物焊接接头，且Cu6Sn5晶粒的[0001]晶向与单晶铜箔的表面平行。由于Cu6Sn5金属间化合物的熔点高达415℃，且其[0001]晶向具有高剪切强度，所以形成的单向性Cu6Sn5金属间化合物焊接接头将具有极佳的耐高温性能，满足碳化硅等功率芯片长期高温与高可靠性的服役需求。 |
| 申请日期 | 2020-09-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN202011063155.1 |
| 公开（公告）号 | CN112317972B |
| IPC 分类号 | B23K26/38 ; B23P15/00 ; C23C18/31 ; C25D3/38 ; C25F3/22 |
| 专利代理人 | 陈远洋 |
| 代理机构 | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) |
| CPC分类号 | B23K26/38 ; B23P15/00 ; C23C18/31 ; C25D3/38 ; C25F3/22 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 授权日期 | 2021-07-20 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/164809 |
| 专题 | 国家开放大学厦门分部 |
| 作者单位 | 1.厦门大学 2.厦门大学深圳研究院 3.厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张志昊,朱轶辰,操慧珺. 一种单向性耐高温焊接接头的低温快速制造方法[P]. 2021-07-20. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN202011063155.1.PDF（764KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | ||
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