一种功率芯片封装用耐高温接头的低温快速无压制造方法
张志昊; 朱轶辰; 操慧珺
2021-06-11
原始专利权人厦门大学 ; 厦门大学深圳研究院 ; 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学)
授权国家中国
摘要本发明提出了一种功率芯片封装用耐高温接头的低温快速无压制造方法,利用温度梯度、超声波及平板热压耦合工艺制造泡沫铜/金属间化合物复合耐高温焊锡预制片,及利用上述焊锡预制片结构实现功率芯片低温快速无压连接并获得大尺寸耐高温焊接接头的制造工艺。本发明制造的复合耐高温焊接预制片及耐高温焊接接头,具有制备工艺简单、焊接时间短、材料成本低廉等优点,所形成的耐高温焊接接头具有极高的剪切强度、良好的导电及导热性能。
申请日期2020-09-23
语种中文
专利状态授权
申请号CN202011010707.2
公开(公告)号CN112122804B
IPC 分类号B23K26/60 ; B23K26/38 ; B23K26/70 ; B23K1/00
专利代理人陈远洋
代理机构厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙)
CPC分类号B23K1/00 ; B23K26/38 ; B23K26/60 ; B23K26/702
专利类型授权发明
授权日期2021-06-11
文献类型专利
条目标识符http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/164821
专题国家开放大学厦门分部
作者单位1.厦门大学
2.厦门大学深圳研究院
3.厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学)
推荐引用方式
GB/T 7714
张志昊,朱轶辰,操慧珺. 一种功率芯片封装用耐高温接头的低温快速无压制造方法[P]. 2021-06-11.
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