立方氮化硼空间电荷限制肖特基二极管研究
侯国华1; 姜麟麟2
2014-05-15
发表期刊吉林大学学报(信息科学版)
ISSN1671-5896
卷号32期号:03页码:284-287
摘要为解决金属/立方氮化硼(c-BN)接触问题,提出Si掺杂的立方氮化硼单晶的上表面采用Cu-Zn合金探针、下表面采用Ag浆烧结,制备一个空间电荷限制肖特基二极管。室温下I-V特性实验数据表明,在10 V时器件的整流比为370。提出了该器件的等效电路模型,并且结合空间电荷限制电流和热电子发射理论对实验结果进行了分析。结果表明,正向电流与电压呈现二次幂函数关系。实验测量发现,该二极管开启电压高达4.2 V,最高工作温度超过500℃。
关键词金属/立方氮化硼 整流 空间电荷限制电流 等效电路模型
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语种中文
原始文献类型学术期刊
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/69482
专题国家开放大学吉林分部
作者单位1.吉林广播电视大学开放学院;
2.吉林大学汽车工程学院
第一作者单位国家开放大学吉林分部
第一作者的第一单位国家开放大学吉林分部
推荐引用方式
GB/T 7714
侯国华,姜麟麟. 立方氮化硼空间电荷限制肖特基二极管研究[J]. 吉林大学学报(信息科学版),2014,32(03):284-287.
APA 侯国华,&姜麟麟.(2014).立方氮化硼空间电荷限制肖特基二极管研究.吉林大学学报(信息科学版),32(03),284-287.
MLA 侯国华,et al."立方氮化硼空间电荷限制肖特基二极管研究".吉林大学学报(信息科学版) 32.03(2014):284-287.
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